設備原理：

連續式物理氣相沉積系統裝配三支六吋靶槍，並使用一支六吋直流電源離子槍作為輔助沉積，本系統以兩台脈衝直流電源與一台射頻電源來提供三支六吋靶槍之濺鍍電源；基材並使用射頻電源提供偏壓。由於調整脈衝直流電源的頻率、工作週期(Duty cycle)，以及調整離子槍的工作電壓、工作電流均可改變電漿之離子化程度，進而對薄膜微結構、晶相與相關性質產生影響。因此透過本設備將可研究離子束輔助沉積技術、脈衝直流電源技術以及相關製程參數對電漿密度與薄膜特性的影響。

上圖(1)為離子槍，(2)為鋁靶槍。兩者可同時運作，對於薄膜品質有極大的影響；因此經過適當調控之後，可獲得極佳之薄膜品質。

儀器功能:

1.具有Load-Lock 腔體，可快速進行鍍膜。

2.具有直流脈衝電源與離子槍，可增強電漿離子化程度與薄膜品質。

3.可進行金屬薄膜、金屬玻璃薄膜、合金薄膜、氮化物薄膜、氧化物薄膜、碳化物薄膜與、碳氮化物薄膜與氮氧化物薄膜之研究。

圖左為使用氬離子槍輔助沉積的鋁薄膜表面形貌，右圖則是單純濺鍍，不使用離子槍的鋁薄膜表面形貌。從兩者薄膜之表面形貌可發現，使用離子槍之後可有效降低薄膜晶粒尺寸，同時對於提升薄膜品質也有極大的助益。因此使用離子槍輔助沉積技術對於發展薄膜科技極為重要。