負責人：阮弼群 老師
負責人分機：6306/6334
地點：電漿薄膜中心1F
實驗室分機：7507

簡介

本無塵實驗室的電漿輔助化學氣相沉積系統 (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)，以矽甲烷 (SiH₄) 為主要反應氣體。大面積電感式耦合電漿PECVD (ICP-PECVD)，以鏈條式傳送裝置與Locklock真空緩衝腔連結。用以製作大面積矽基 (Silicon-Based) 薄膜材料為主，如非晶矽 (a-Si)、微晶矽 (μc-Si)、及其P-Type與N-Type摻雜型矽 (硼與磷摻雜)。另外實驗室內有獨立之樣品處理空間，包含化學清洗槽與排煙櫃，專為樣品的表面前置處理。

研究遠景

1. 電感耦合RF高密度電漿源由低電感天線（Low-Inductance Antenna，LIA）組合而成。包括電漿溫度、電漿密度、與公尺以上基板的薄膜均勻度等在低壓/高壓與低/高功率的參數是非常重要的研究方向。這個設計的好處為依腔體大小進行陣列式排列。適用於大面積的生產技術。ICP電漿密度可高達 10¹¹ cm^-3，而傳統的電漿密度約為10⁹ cm^-3左右。
2. 大面積與高速薄膜沉積關鍵技術運用於光電產業的整合開發，促進與工業界之合作。產品如觸控面板 (Touch Panels)、顯示技術 (Display Technologies)、大面積螢幕 (Large-Area Displays)、軟性電子 (Flexible Electronics)、平面顯示器 （Flat Panel Displays）、行動裝置 (Mobile Devices) 等。
3. 太陽能電池技術。包含矽晶 (單晶與多晶) 太陽能電池、矽薄膜 (非晶與微晶) 太陽能電池、化合物半導體薄膜CIGS (銅銦鎵硒) 薄膜太陽能電池、III-V或II-VI族化合物半導體太陽能電池、軟性太陽能電池、不同基板製程之太陽能電池等。
4. 半導體薄膜的開發與製作。如P/N多晶矽閘極電晶體、氧化薄膜 (Oxide)、氮化薄膜 (Nitride)、氮氧化合物 (Oxynitride)、低介電常數 (Low-K)薄膜等。