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負責人:張麗君 老師
負責人分機:4401
地點:電漿薄膜中心2館1F
實驗室分機:

 

簡介

PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。本實驗室以進行黃光製程為研究重點,主要之配備為旋轉塗佈機、曝光機、加熱器。首先,通過金屬化過程,在基板上布置一層僅數奈米厚的金屬層。然後在這層金屬上覆上一層光阻。這層光阻劑在曝光後可以被顯影液溶解。使特定的光波穿過光罩照射在光阻上,可以對光阻進行選擇性曝光。然後使用前面提到的顯影液,溶解掉被照射的區域,這樣,光罩上的圖形就呈現在光阻上。將通過烘乾措施,改善剩餘部分光阻的一些性質。
        上述步驟完成後,就可以對基板進行選擇性的蝕刻或離子注入過程,未被溶解的光阻將保護基板在這些過程中不被改變。

        蝕刻或離子注入完成後,將進行光刻的最後一步,即將光阻去除,以方便進行後續製造的其他步驟。

 

研究設備

旋轉塗佈機 (Spin coating)

旋轉塗佈機

 

曝光機 (Mask Aligner)

曝光機(Mask Aligner)

 

研究遠景

本實驗室將進行之研究方向是半導體器件製造製程中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光阻層上刻畫幾何圖形結構,然後通過蝕刻製程將光罩上的圖形轉移到所在基板上。
        光刻的優點是它可以精確地控制形成圖形的形狀、大小,此外它可以同時在整個晶片表面產生外形輪廓。不過,其主要缺點在於它必須在平面上使用,在不平的表面上它的效果要差一些。此外它還要求基板具有極高的清潔條件。