儀器負責人：黃宗鈺 老師
分機：4672
地點：電漿薄膜中心2館1F產學製程實驗室

儀器原理：

       在半導體製程中，蝕刻（Etch）被用來將某種材質自晶圓表面上移除。蝕刻通常是利用腐蝕性物質移除部份薄膜材料，以達到產生所需圖案（Pattern）之技術。

       一般將蝕刻分為濕式蝕刻和乾式蝕刻，而乾式蝕刻（Dry Etching）又稱為電漿蝕刻（Plasma Etching）且屬於非等向性蝕刻，所以是目前最常使用的蝕刻方式。電漿蝕刻是一種以氣體為主要的蝕刻媒介，並藉由電漿能量來驅動反應。

儀器圖片：

儀器功能：

1. 目前所提供的氣體有O₂、N₂、Ar，較適合蝕刻二氧化矽(SiO₂)、氮化矽(Si₄N₃)與多晶矽(Poly-Si)。
2. RIE機台不能蝕刻金屬或含金屬的材料，故只能利用光阻或非金屬薄膜當保護層。
3. 若不確定自己的試片材料能否進行蝕刻時，請先向機台負責人詢問作確認，以免造成腔體的污染。