設備原理：

因ICP之耦合方式係藉由磁場所產生，由電磁理論得知其電場，即離子加速方向，是以環繞此一磁場且平行於晶圓表面之切線方向，所以當輸入之功率(通常以RF之頻率為主)加大時，磁場與電場皆相對增加，電漿內之離子加速方向，因平行於晶圓表面之切線方向，因此較不易對晶圓產生損傷。基於此一優點，ICP的輸入功率可以達到相當高的範圍。以能量損耗之觀點來看，在ICP的電漿系統內，由於離子加速路徑是環繞著磁力線而行，離子循著電場方向加速而撞擊反應器之內壁或晶圓表面，而造成能量損失的機率非常低。在此狀況下，離子可以週而復始的在反應腔內部進行向心加速作用，而增加相互碰撞的機率。由於粒子之間碰撞機率的增加，所能產生離子的效率相對提高。在ICP系統內電漿之密度可高達10¹¹/cm³的數量級以上，而傳統型的電漿密度約只有10⁹/cm³的數量級，因此高密度電漿為ICP CVD的最大優點。

規格：

1. 可使用基板最大尺寸 : 250*250 (mm)。

2. 腔體溫度：500 ℃。

3. 用以沉積矽基與氧化物與氮化物薄膜。可提供a-Si、μC-Si、P-doped a-Si、N-doped a-Si、SiO₂及Si₃N₄等薄膜沈積。

4. 使用的氣體包括：Ar、O₂、N₂、CF₄、SiH₄、H₂、PH₃、B₂H₆等。