原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）係藉由表面獨特自我侷限反應來成長高階梯覆蓋與大面積均勻性之薄膜。可用於奈米級或原子級薄膜沉積，調控超薄薄膜優異特性之先進鍍膜技術。明志科大電漿與薄膜科技中心開發的電漿輔助原子層沈積（Plasma Enhanced ALD, PEALD）則藉由高能電漿輔助之特性，可不受前驅物反應溫度之限制，於低溫成長高緻密性及低雜質的高品質薄膜，改善半導體與光電元件日益微縮化的需求。

明志科大電漿與薄膜科技中心與國家實驗研院儀器科技研究中心合作建置電漿輔助原子層沉積技術，期待能對現今半導體與光電產業與未來材料的趨勢有所助益與貢獻。

近年來，中心致力於電漿科技的研發與應用，尤其是先進鍍膜技術的開發。在半導體與光電產業的研發上並取得多樣且重大的進展，尤其是利用高密度電漿技術與台積電進行產學合作、以及利用高密度電漿CVD系統與多家太陽電池廠商進行HIT異質接面太陽電池矽氫薄膜的研發。

原子層沉積具有高緻密性、高厚度均勻性、高階梯覆蓋率、低溫製程與原子級精密控制厚度等特點，除了可進行超薄高介電材料鍍膜外，亦可針對微小的電路結構提供孔洞填補能力，如具高深寬比的結構與相關領域中提供厚度均勻的鍍膜。未來合作開發的領域有（1）半導體積體電路。（2）微機電。（3）薄膜電晶體。（4）OLED顯示器。（5）元件封裝。

未來合作開發的材料有（1）電晶體金屬閘極與高介電層：Ru、Ni、HfO₂、ZrO₂, Ta₂O₅、Al₂O₃等。（2）銅導線擴散阻絕層：Cu、TaN_x、Cu_xN等。（3）光水解產氫：TiO₂、TiN、TaN_x等。（4）燃料電池：Pt等。（5）氣體感測器/CIGS緩衝層：ZnO等。（5）氣體感測器/CIGS緩衝層：iZO、ZnO等。（6）透明導電薄膜：ZnO、AZO等。（7）氣水阻絕層：Al₂O₃等。（8）太陽電池載子汲取層：Al₂O₃等。本中心將持續更多元的發展，歡迎有志一同的廠商洽談合作。

台灣經濟新聞網報導

新北市新聞網報導