儀器負責人：張奇龍  老師
分機：4459
地點：電漿薄膜中心2館1F

儀器原理：

      本系統為本實驗室最新鍍膜系統，系統主要以陰極電弧沉積技術(Cathodic Arc Deposition)與磁控濺鍍技術(magnetron Sputtering Deposition)組成，能單獨以陰極電弧沉積技術或磁控濺鍍技術製備各式金屬氮(碳)化物。且磁控濺射源可搭配不同電源衍伸不同製程技術，例如:直流脈衝磁控濺鍍、高功率脈衝磁控濺鍍(HiIMS)等。本系統最大特色是結合二種電漿源的複合式製程技術，並在在反應性鍍膜製程中搭配電漿光譜回饋控制系統(OES)，進行製程控制可獲得優於單一製程之薄膜品質。

儀器圖片：

規格：

1. 設備總體積: 2620(W)*2440(L)*2205(H) mm
2. 腔體容積: ϕ 900 mm * 1000 mm H
3. 電漿源: ARC * 4 sets + Sputter * 2 sets
4. 極限真空: 5*10^-8 torr (1 hour)
5. 加熱器: 8 kW * 4 sets
6. 乘載重量: 300 KG