儀器負責人：謝章興 院長
分機：4677
地點：電漿薄膜中心1館3F光電檢測實驗室

儀器原理：

       一般來說半導體能隙介於導體及絕緣體之間，當價帶電子受到大於或等於能隙值之能量，電子便會躍昇到導帶形成電子電洞對，進而產生導電性，而本實驗及是利用試片的半導體特性，由光子提供能量使電子進行躍遷的運動，並由電子、電洞行反應得到所謂的光電的轉換，由於反應產生的電流電壓值並不大，所以經由電化學方式放大訊號並加以測量。

       而能夠測量到的除了光電壓及光電流外，更能經由計算得到光電轉換(量子)效率(IPCE)以及觀察不同波長的光照射對薄膜的反應。

下式為光電轉換效率的計算公式

式子中J_ph為產生的光電流密度、λ為入射光之波長、P為光之強度

儀器圖片：

左至右分別為燈源及濾波片、電化學儀器(ECW-5000)、燈源之電源供應器 

實驗之數據：

電化學軟體(EC ware)

共有四個圖，分別為I、V、LogI、Time之個別做圖，由實驗的種類不同來取其中所需要的數據即可。