設備原理：

高功率脈衝磁控濺鍍系統(HIPIMS，High Power Impulse Magnetron Sputtering) 是一種以高功率脈衝電源進行磁控濺鍍的技術，透過產生比傳統直流濺鍍模式要高上數十倍之瞬間脈衝電流，得到比直流濺鍍要高上百倍至萬倍的電子密度的高密度電漿，而此HIPIMS鍍膜系統可有效提高被濺射粒子的離化率，並可在低基材溫度下得到無孔隙、緻密度高、結晶性佳的薄膜。

HIPIMS技術的關鍵核心為電源供應器，其設計主要是應用一組直流電源負載於脈衝模組中的電容，再將脈衝模組連接於靶座。將直流電源供應器的電能累積至充電電壓可達數百、數千伏特的脈衝模組電容中，再以電晶體控制放電的脈衝時間、脈衝頻率，以產生高密度電漿。

上圖為HIPIMS鍍膜系統的照片。本系統共有三個靶槍，可同時運作，因此經過適當參數調控之後，可獲得極佳薄膜品質。本系統之工作時間(T_on)可控制在5至5000 ms之間，脈衝頻率可控制於10 Hz到10 kHz 範圍，使得電源供應器在T_on期間可供應靶材高達kW/cm^-2 的脈衝功率密度，同時又要保持著適當的熄火時間(T_off) ，讓靶材與磁鐵充分散熱，以確保薄膜沉積過程的電漿穩定性。

實驗數據:

上圖左與上圖右分別為使用HIPIMS沉積的氮化鉻鋁(AlCrN)與氮化鈦(TiN)薄膜的截面形貌，可發現兩者薄膜都很緻密，且其硬度高、附著性質極好，具有優異的機械性質，因此HIPIMS鍍膜技術對於提升薄膜品質也有極大的助益，是發展薄膜科技的利器。

儀器照片:

1.    可控制脈衝頻率、脈衝工作週期，以獲得高密度電漿，進而沉積緻密的薄膜。

2.    可進行金屬薄膜、金屬玻璃薄膜、合金薄膜、氮化物薄膜、氧化物薄膜、碳化物薄膜與、碳氮化物薄膜與氮氧化物薄膜之研究。