跳到主要內容區塊

 

 

 

產學製程實驗室

   

負責人

李志偉 老師

負責人分機

4437

地點

薄膜中心  21F

實驗室分機

4488

 

 

 

     

設備負責老師:謝章興 老師 (#4677)

管理者:林育緯 (#4451)、吳孟瑋 (#4682)

設備原理

利用電子槍將坩堝裡的鍍膜材料(如金屬Al、Cu)加熱並使其蒸發,而達成沉積於薄膜的目的,此種方法的特點是在真空條件下透過加熱將熱穩定性化合物待蒸發而沉積在基板上,此一方式稱為熱蒸鍍法(thermal evaporation)。

當電子槍式蒸鍍鍍方式變成光學鍍膜的主流後,利用離子助蒸鍍可有兩種好處,一是添加的離子源是一個獨立系統,安裝簡單,對原系統的影響低。第二離子束的範圍大,分布均勻擁有良好的動能,可以輕易的將膜層壓緊,得到附著力良好的膜層。

 

圖示為熱蒸鍍腔體內部圖(1)為蒸鍍載台,(2)為膜厚偵測器,(3)為離子源發射器,(4)為電子束蒸鍍區。

 

設備功能:

1.   是利用電子束使蒸鍍材料蒸發,讓材料蒸鍍到基材表面。

2.   利用離子源可使膜層壓緊,得到附著力良好的膜層

 

 

 

 

設備負責人員:謝章興 老師 (#4677)

管理者:吳敘涵 (#4682)、黃信益 (#4451)

設備原理

利用電阻器(electric resistor)及坩堝將鍍膜材料(如金屬AlCu)加熱並使其蒸發,而達成沉積於薄膜的目的,此種方法的特點是在真空條件下透過加熱將熱穩性化合物待蒸發而沉積在基板上,此一方式稱為熱蒸鍍法(thermal evaporation)。

 

 

 

 

 

 

       

設備負責人員:李穎 博士 (#4479)

管理者:林家宇 (#4682)、徐崇劼 (#4682)

設備原理

        在半導體製程中,蝕刻(Etch)被用來將某種材質自晶圓表面上移除。蝕刻通常是利用腐蝕性物質移除部份薄膜材料,以達到產生所需圖案(Pattern)之技術。

  一般將蝕刻分為濕式蝕刻和乾式蝕刻,而乾式蝕刻(Dry Etching)又稱為電漿蝕刻(Plasma Etching)且屬於非等向性蝕刻,所以是目前最常使用的蝕刻方式。電漿蝕刻是一種以氣體為主要的蝕刻媒介,並藉由電漿能量來驅動反應。

 

設備功能:

1.目前所提供的氣體有O2N2Ar,較適合蝕刻二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si4N3)與多晶矽(Poly-Si)

2.RIE機台不能蝕刻金屬或含金屬的材料,故只能利用光阻或非金屬薄膜當保護層。

3.若不確定自己的試片材料能否進行蝕刻時,請先向機台負責人詢問作確認,以免造成腔體的污染。

 

 

 

 

   

設備負責老師:謝章興 老師 (#4677)

管理者:鄭力瑋 (#4682)、楊壹証 (#4682)

設備原理

        本系統以磁控濺鍍加上電漿聚合兩種方式沉積有機/無機薄膜。

       濺鍍製程是使用電漿對靶材進行離子轟擊,將靶材表面的原子撞擊出來。這些原子以氣體分子型式發射出來,並到達所要沉積的基板上,再經過附著、吸附、表面遷徙、成核等過程之後,在基板上成長形成薄膜。在濺鍍設備加裝磁控裝置,藉著磁場與電場間的電磁效應,所產生的電磁力,將會影響電漿內電子的移動,使得電子將進行螺旋式的運動。由於磁場的介入,電子將不再是以直線的方式前進。螺旋式的運動,使得電子從電漿裡消失前所行經的距離拉長,因此增加電子與氣體分子間的碰撞次數,而使得氣體分子離子化的機率大增,便有更多的離子撞擊靶材,濺射出更多的粒子沉積於基板上,因此磁控裝置可提昇濺鍍的沉積速率。

       將聚合性氣體或有機化合物(如苯乙烯、乙烯)單體混合進入低溫電漿之中,高能電子衝擊氣體分子而分裂為各種活性化學物質,接著發生許多複雜的化學反應。電漿反應的生成物會在基材上聚合形成高分子薄膜,此一過程稱之為電漿沉積聚合反應。由於在電漿反應中,反應物的化學結構會被電子或高能量的粒子完全破壞,所以這一層厚度很薄的電漿高分子(plasma polymer)薄膜,其結構通常是以高度交聯和分枝的型態存在。

       在ICP的電漿系統內,離子加速路徑繞著磁力線,離子依電場方向加速而撞擊反應器之內壁或晶圓表面,而造成能量損失的機率非常低。在此狀況下,離子可以週而復始的在反應腔內部進行向心加速作用,而增加相互碰撞的機率。由於粒子之間碰撞機率的增加,所能產生離子的效率相對提高。

 

 

登入

登入成功